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Etude d'un étage de sortie classe AB
#1
Bonjour,

Je propose sur ce nouveau fil de discussion l'étude d'un étage de sortie en classe AB performant (du moins j'espère).

Il existe de nombreuses solutions avec, selon moi et pour toutes celles que j'ai pu analyser, pas mal de défauts : asservissement à constante de temps trop longue avec l'horrible transistor capteur de température, distorsion élevée, transition dur, gm doubling, distorsion élevée...

Là c'est sans filet : je démarre à peine l'étude basée sur un principe dont je ne saurais vous dire s'il est original étant donné que je n'ai pas analysé toutes les solutions existantes, lesquelles doivent bien se compter par centaines.

Ca fait pas mal de temps que je cherche une solution en partant toujours du même principe : acquérir la valeur de courant circulant dans chaque branche d'un push-pull en émetteur commun pour jouer sur le bias de cet étage. Toutes mes tentatives se sont soldées par des usines à gaz au résultat trop aléatoires. Dernièrement je me suis dis : pourquoi ne pas acquérir le signal qui va réellement dans la charge au lieu de "senser" les courants qui parcourent chaque branche et fournir juste le courant qui va bien dans chaque branche ? ; dans un approche current dumping en série avec un étage d'amplification de tension.

J'ai finalement abouti à ce schéma de principe qui est  la base de travail de cette étude :

[Image: 2026-Etage-de-sortie-bias-asservi-1.png]

Le principe de fonctionnement est le suivant : le courant que la source fournit dans la charge pilote via Q3 et Q4 deux multiplicateurs de courants (ici x100). Chacun des transistors Q3 et Q4 pilote le courant de sa branche (F1 et F2). Ces deux transistors agissent indépendamment l'un de l'autre ce qui évite les problèmes de mode commun dans le contrôle du bias.
Les sources de courant I3 et I4 avec Q1 et Q2 ont pour rôle de polariser les transistors Q3 et Q4.
Les sources de courants F1 et F2 sont des multiplicateurs sans offset ce qui permet de réduire le courant de bias en jouant uniquement sur le courant au repos fournis par Q3 et Q4. Pour le développement d'une solution opérationnelle il faudra donc réussir à faire un multiplicateur de courant de puissance capable de fournir plusieurs ampères qui ait de bonnes performances et qui ne parte pas en live du fait de la thermique des transistors.

Le graphe suivant montre le fonctionnement du circuit :

[Image: 2026-Etage-de-sortie-bias-asservi-1-trancient.png] 

On voit que ce sont des transistors Q3 / Q4 qui pilotent le fonctionnement en classe AB. l'avantage est que la commutation est douce, bien aidée par le fait que ce sont des transistors moyenne puissance dont les charges stockées son faibles : 
 - courbes du haut : tension d'entrée et tension de sortie (gain unitaire : elles sont superposées)
 - courbe du milieu : courant prélevé à la source
 - courbes du bas : courant de consigne pour les multiplicateurs de courant de chaque branche.

Le gain de la boucle d'asservissement de chaque branche est fixé par R1 qui "mesure" le courant fourni par la source de tension d'entrée. Plus R1 est grand plus le gain de boucle est élevé et moins la source doit fournir de courant. Sur cette simulation c'est 100 ohms et la source ne doit alors fournir que quelques milliampères compatibles avec un fonctionnement de cette dernière en classe A.

Première implémentation du schéma de principe.

[Image: 2026-Etage-de-sortie-bias-asservi-2.png]

Quelques explications :
  • circuit autour de Q5, Q6, Q7, Q8 : ce sont les sources de courant pour la polarisation de de Q1 et Q2
  • Le multiplicateur de courant : il est bâti (pour la branche du haut) sur Q9, Q11, et Q13 avec les résistances R6, R8, R11. Le courant arrivant sur collecteur Q9 et base Q13 est le courant d'entrée. Le courant de sortie est sur collecteur de Q13. Il est globalement fixé par le rapport entre R6 et R11. Le gain en courant est de 100 (sans compter les pertes à cause du courant de base de Q13). R9 permet de fixer le courant de repos (contrairement au schéma de principe, c'est le courant qui traverse R9 qui définit le courant de repos (relativement au courant passant dans R33). Au niveau thermique c'est excellent : les deux transistors Q9 et Q11 on un Vce quasi identique à environ 600mV, ce qui permet de fixer un courant de repos quasi indépendant de la température

Pour les simulations (à venir) :
 - Q5,Q6, Q7, Q8 --> BC327 et BC337
 - Q1, Q2, Q3, Q4, Q9, Q10, Q11, Q12 --> BD135 et BD 136
 - Q13 et Q14 --> D44H11 et D45H11

Le schéma ne nécessite pas en l'état d'une compensation en fréquence sur charge résistive (à voir intégré dans un schéma d'ampli complet)
contact@reddoaudio.com




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